離子注入裝置

SHX-III/S?。▎尉A大電流離子注入裝置)

采用射速掃描與機械掃描結合技術,實現高精度、高品質低能量離子注入的SHX系列最新緊湊型裝置。

特點

  • 可對應300mm晶圓。
  • 適用于新一代工藝(20~22nm節點)。
  • 能量范圍
    • 最?。?.2keV
    • 最大:60keV
  • 量產級200eV高射速電流。
  • 高速傳送系統實現高產能。
  • 緊湊設計。
  • 實現了晶圓全方位掃描的射束和射束發散角度的均勻性,高度的射束平行性以及再現性。
  • 確保極低能量下的高純度能量。
  • 極小的金屬污染及交叉污染。
  • 防止晶圓帶電的先進等離子淋浴系統。
  • 高可靠性、便于維修。
  • MIND系統補正因其他工序產生的缺陷,提高整體工序的產能、成品率。
高電流離子注入裝置系列 可實現極低能量,并具有優質射束的國際標準高電流裝置。
中電流離子注入裝置系列 可準確控制能量、劑量、注入角度等多項參數的MC3系列
高能粒子注入裝置系列 搭載能量范圍可調整到8.0MeV的18段RF加速共振器的UHE系列。

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